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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MPSW45(A) |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 2mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 25000 @ 200mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 包装材料 | Bulk |
| 最大的基射极饱和电压 | 2@2mA@1A |
| 安装 | Through Hole |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@2mA@1A |
| 包装宽度 | 4.19(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 50 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
| 包装长度 | 5.21(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 25000@200mA@5V|15000@500mA@5V|400... |
| 包装高度 | 7.87(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 12 |
| 封装 | Box |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 2mA, 1A |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 25000 @ 200mA, 5V |
| 其他名称 | MPSW45GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 4000, 25000, 15000 |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 1 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 50 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 发射极 - 基极电压 | 12 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 2 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 25000 |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
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